深圳變頻電源IGBT的基本工作原理

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深圳變頻電源IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是有BJT（雙極結型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式半導體器件，它兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩個方面的優點。GTR（電力晶體管，是一種雙極型大功率、高反壓晶體管，其功率非常大，因此又被稱為巨型晶體管，簡稱GTR）的飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。而變頻電源電路采用IGBT綜合了以上兩種元器件的優點，即驅動功率小而飽和壓降低。

IGBT變頻電源的性能指標

深圳變頻電源IGBT的開關損耗包括關斷損耗和開通損耗。常溫下，變頻電源IGBT的關斷損耗和MOSFET差不多。其開通損耗平均比MOSFET略小，且它與溫度關系不大，但每增加100℃,其值增加2倍。兩種器件的開關損耗和電流相關，電流越大，損耗越大。

深圳變頻電源采用IGBT的優勢

與MOSFET的BJT相比，深圳變頻電源采用IGBT的主要優勢如以下幾點:

1）深圳變頻電源IGBT有一個非常低的通態壓降，且由于它具有優異的電導調制能力和較大的通態電流密度，使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成為可能。

2）MOS柵結構使得IGBT有較低的驅動電壓，且只需要簡單的外圍驅動電路；與BJT和晶閘管相比較，它能更容易地使用在高電壓大電流的電路中。

3）它有比較寬的安全操作區，且具有比雙極型晶體管更優良的電流傳導能力，也有良好的正向和反向阻斷能力。

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